设备参数
整机尺寸 ≤1.75（L)×0.9（W)×2.0（H)（单位：M）
极限真空 ≤4×10 -5Pa 保压12小时 压强≤5P a
基片架 抽插式结构，旋转转速0-30r/min
基片架带有烘烤功能，可加热200°
成膜均匀性 ≥95% 重复性 ≥95% 基片架可升降，行程60mm
基片尺寸 ≤150×150mm，靶材尺寸≤4英寸
溅射阴极角度±30°可调，带自动控制气缸挡板
可配射频电源、直流电源系统
适用范围
钙钛矿器件研发、光电器件结构优化等，兼容晶硅钙钛矿
器件制作。
产品特色
◆ 膜厚均匀性好，重复性强，溅射成膜好。
◆ 最多可装3组4英寸溅射阴极。
◆ 灵活性好，兼容性高，不超过150*150mm面积皆可切换。
